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[ 和図書 ] 半導体研究 12

半導体研究振興会／編 -- 工業調査会 -- 1976 --

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所蔵館 所蔵場所 資料区分 請求記号 資料コード 所蔵状態 資料の利用
配架日 協力貸出 利用状況 返却予定日 資料取扱 予約数 付録注記 備考
中央 書庫 一般図書 /5490/H1791/H1-12 1127132326 Digital BookShelf
1976/05/22 可能（館内閲覧） 利用可   0

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タイトル 半導体研究
タイトルカナ ハンドウタイ ケンキュウ
巻次 12
著者名 半導体研究振興会 ／編
著者名典拠番号

210000122320000

出版地 東京
出版者 工業調査会
出版者カナ コウギョウチョウサカイ
出版年 1976
ページ数 378p
大きさ 27cm
価格 7800
内容注記 内容:化合物半導体の完全性 デバイスより見た化合物半導体の完全性(久留勇) 半導体レ-ザの劣化と結晶欠陥(林巌雄) GaAsの熱分解気相成長-ストイキオメトリ制御とGaAs結晶の性質-(関保夫) 結晶よりみた化合物半導体の完全性-HB・GaAsの不完全性制御-(鈴木隆,赤井慎一,公江清彦) 化合物半導体のStoichiometry(井垣謙三) GaAs,GaPのStoichiometry(奥野保男) 化合物半導体中の深い不純物準位の測定(生駒俊明) ルミネセンスによる化合物半導体の評価1-発光素子と格子欠陥-(笠見昭信) 2-6化合物半導体のルミネセンスと不純物-ルミネセンスによる化合物半導体の評価2-(塩谷繁雄) X線測定による化合物半導体の評価(宮本信雄) パネルデイスカッション(司会:西沢潤一) 特別寄稿 化合物半導体の結晶欠陥の評価法および観察例(岸野正剛) 蒸気圧制御温度差法による定組成In1-x GaxPの液相成長(助川徳三,田中昭) Sn,Siを添加したGaAsの性質と格子欠陥(西沢潤一,篠崎慧)
分類：都立NDC10版 549
資料情報1 『半導体研究 12』　半導体研究振興会／編 　工業調査会　1976（所蔵館：中央　 請求記号：/5490/H1791/H1-12　 資料コード：1127132326）
URL https://catalog.library.metro.tokyo.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?lang=ja&bibid=1100823606

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