山本 秀和/著 -- コロナ社 -- 2012.2 --

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中央 書庫 一般図書 /549.8/5238/2012 7100158600 Digital BookShelf
2012/02/17 可能 利用可   0
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ISBN 4-339-00831-9
ISBN13桁 978-4-339-00831-9
タイトル パワーデバイス
タイトルカナ パワー デバイス
著者名 山本 秀和 /著
著者名典拠番号

110006121850000

並列タイトル Power Devices
出版地 東京
出版者 コロナ社
出版者カナ コロナシャ
出版年 2012.2
ページ数 8, 180p
大きさ 21cm
価格 ¥2500
内容紹介 パワーデバイスそのものに特化した入門書。半導体およびデバイスの基礎は最小限にとどめ、パワーデバイスの構造および特性とパワーデバイス特有の製造プロセスを詳しく解説する。
書誌・年譜・年表 文献:p175
一般件名 半導体-ndlsh-00562913
一般件名カナ ハンドウタイ-00562913
一般件名 半導体 , パワーエレクトロニクス
一般件名カナ ハンドウタイ,パワー エレクトロニクス
一般件名典拠番号

511311800000000 , 511681100000000

分類:都立NDC10版 549.8
資料情報1 『パワーデバイス』 山本 秀和/著  コロナ社 2012.2(所蔵館:中央  請求記号:/549.8/5238/2012  資料コード:7100158600)
URL https://catalog.library.metro.tokyo.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?lang=ja&bibid=1152012928

目次 閉じる

1.パワーデバイスの概要
  1.1 パワーデバイスの役割
  1.2 パワーデバイスの用途
  1.3 身近で活躍するパワーデバイス
2.パワーデバイスによる電力変換
  2.1 パワーデバイスによる直流-交流の相互変換
  2.2 コンバータ/インバータシステム
  2.3 パワーデバイスの進化
3.原子と結晶
  3.1 原子構造と元素の周期性
  3.2 半導体結晶とエネルギーバンド
  3.3 結晶欠陥
4.半導体中のキャリヤ
  4.1 半導体中のキャリヤの生成
  4.2 半導体中のキャリヤ統計
  4.3 半導体中の電気伝導
5.半導体デバイスの基礎
  5.1 pn接合
  5.2 金属-半導体接触
  5.3 MOS構造
6.電力用ダイオードおよび電流制御型スイッチングデバイスの構造と特性
  6.1 パワーチップの構造
  6.2 電力用ダイオード
  6.3 パワーバイポーラトランジスタ
  6.4 サイリスタ
7.電圧制御型スイッチングデバイスの構造と特性
  7.1 パワーMOSFET
  7.2 IGBT
  7.3 IGBTの多機能化
8.パワーモジュールの構造と要求性能
  8.1 パワーチップのモジュール化
  8.2 パワーモジュールの構造
  8.3 パワーモジュールへの要求性能
9.パワーデバイス用シリコンウェーハ
  9.1 CZシリコンウェーハ
  9.2 FZシリコンウェーハ
  9.3 エピタキシャル成長
  9.4 パワーデバイス用ウェーハの選定
10.パワーチップ製造プロセス
  10.1 パワーチップとMOS-LSIの構造比較
  10.2 パワーチップ表面側プロセス
  10.3 パワーチップ裏面側プロセス
11.パワーモジュール製造プロセス
  11.1 パワーモジュール製造プロセス
  11.2 パワーモジュール対応新技術
  11.3 パワーデバイスのテスト技術
12.ワイドギャップ半導体パワーデバイス
  12.1 シリコンパワーデバイスと比較した優位性
  12.2 SiCパワーデバイス
  12.3 GaNパワーデバイス