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[ 和図書 ] 次世代パワー半導体 [1] ( 存在感増すSiCとGaN )

-- 日経BP社 -- 2012.4 --

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所蔵館 所蔵場所 資料区分 請求記号 資料コード 所蔵状態 資料の利用
配架日 協力貸出 利用状況 返却予定日 資料取扱 予約数 付録注記 備考
中央 書庫 一般図書 D/549.8/5246/2012 7100788925 Digital BookShelf
2012/09/07 可能 利用可   0

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ISBN 4-8222-6574-8
ISBN13桁 978-4-8222-6574-8
タイトル 次世代パワー半導体
タイトルカナ ジセダイ パワー ハンドウタイ
巻次 [1]
出版地 東京,[東京]
出版者 日経BP社,[日経BPマーケティング(発売)]
出版者カナ ニッケイ ビーピーシャ
出版年 2012.4
ページ数 215p
大きさ 28cm
各巻タイトル 存在感増すSiCとGaN
各巻タイトル読み ソンザイカン マス エスアイシー ト ジーエーエヌ
価格 ¥40000
内容紹介 市場動向と技術動向、パワー素子の研究開発事例、基板技術の動向、モジュール化のための周辺技術、パワー半導体素子の特許動向など、SiCとGaNに関する研究開発動向と実用化動向をまとめる。
一般件名 半導体-00562913-ndlsh
一般件名カナ ハンドウタイ-00562913
一般件名 半導体 , パワーエレクトロニクス
一般件名カナ ハンドウタイ,パワー エレクトロニクス
一般件名典拠番号

511311800000000 , 511681100000000

分類：都立NDC10版 549.8
資料情報1 『次世代パワー半導体 [1]』（ 存在感増すSiCとGaN） 　日経BP社　2012.4（所蔵館：中央　 請求記号：D/549.8/5246/2012　 資料コード：7100788925）
URL https://catalog.library.metro.tokyo.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?lang=ja&bibid=1152076940

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