資料詳細

目次

1.序論

  1-1.計算機マテリアルデザイン

  1-2.不揮発性メモリの発展

  1-3.抵抗変化メモリの概要

  1-4.抵抗変化メモリの課題

2.抵抗変化メモリの電子状態

  2-1.緒言

  2-2.遷移金属酸化物の電子状態

  2-3.電極の電子状態

  2-4.電極/遷移金属酸化物界面の電子状態

  2-5.結論

3.抵抗変化メモリの動作原理の解明

  3-1.緒言

  3-2.酸素欠損および電子トラップの役割

  3-3.電極/遷移金属酸化物界面の抵抗変化

  3-4.外部電場の効果

  3-5.結論

4.抵抗変化メモリのデザイン

  4-1.緒言

  4-2.電極に用いる材料のデザイン

  4-3.遷移金属酸化物材料のデザイン

  4-4.動作原理の阻害要因の検討

  4-5.結論

5.総括

  5-1.抵抗変化メモリの動作原理と設計方法

  5-2.シミュレーションによる知的設計

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