岩室憲幸/監修 -- S&T出版 -- 2012.10 --

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中央 書庫 一般図書 /549.8/5266/2012 7101904410 Digital BookShelf
2013/04/23 可能 利用可   0
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ISBN 4-907002-06-0
ISBN13桁 978-4-907002-06-0
タイトル SiCパワーデバイスの開発と最新動向
タイトルカナ SiC パワー デバイス ノ カイハツ ト サイシン ドウコウ
タイトル関連情報 普及に向けたデバイスプロセスと実装技術
タイトル関連情報読み フキュウ ニ ムケタ デバイス プロセス ト ジッソウ ギジュツ
著者名 岩室憲幸 /監修
著者名典拠番号

110006827670000

出版地 東京
出版者 S&T出版
出版者カナ S アンド T シュッパン
出版年 2012.10
ページ数 361p
大きさ 27cm
価格 60000円
書誌・年譜・年表 文献あり
一般件名 半導体-ndlsh-00562913,パワーエレクトロニクス-ndlsh-00997584
一般件名カナ ハンドウタイ-00562913,パワーエレクトロニクス-00997584
分類:都立NDC10版 549.8
資料情報1 『SiCパワーデバイスの開発と最新動向 普及に向けたデバイスプロセスと実装技術』 岩室憲幸/監修  S&T出版 2012.10(所蔵館:中央  請求記号:/549.8/5266/2012  資料コード:7101904410)
URL https://catalog.library.metro.tokyo.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?lang=ja&bibid=1152198107