資料詳細

目次

1.半導体の基礎物性

  1.1 結晶構造

  1.2 フォノン

  1.3 バンド構造

  1.4 励起子

  1.5 量子井戸構造と超格子

2.光物性の基礎理論

  2.1 光物性の電磁波論

  2.2 バンド間遷移の量子論

  2.3 励起子遷移の量子論

  2.4 不純物が関与する光学遷移の量子論

  2.5 再結合発光速度と吸収係数の関係

  2.6 オージェ再結合

3.励起子の光学応答

  3.1 励起子による吸収と反射

  3.2 励起子発光

  3.3 励起子分子光学応答

  3.4 励起子非弾性散乱過程による発光

  3.5 薄膜における励起子重心運動の量子化と光学応答

  3.6 励起子状態に対する格子ひずみ効果

4.電子・正孔プラズマの光学応答

  4.1 多体効果の基礎理論

  4.2 電子・正孔プラズマによる光学利得の理論

  4.3 電子・正孔プラズマの発光スペクトルと光学利得スペクトル

  4.4 電子・正孔液体(液滴)の発光スペクトル

5.ラマン散乱

  5.1 ラマン散乱の基礎理論

  5.2 ラマンテンソルとラマン散乱選択則

  5.3 ラマン散乱の動的構造因子と空間の有限サイズ効果

  5.4 LOフォノン-プラズモン結合モード

  5.5 格子ひずみ効果

6.量子井戸構造・超格子の光物性

  6.1 量子井戸構造におけるサブバンド構造の理論

  6.2 量子井戸構造における励起子状態の理論

  6.3 量子井戸構造における光学遷移の量子論

  6.4 量子井戸構造における励起子光学応答

  6.5 量子井戸構造におけるサブバンド間遷移とそのデバイス応用

  6.6 超格子のミニバンド構造と有効質量

  6.7 超格子におけるワニエ・シュタルク局在とブロッホ振動

  6.8 GaAs/AlAsタイプⅡ超格子における励起子光学応答

  6.9 超格子におけるフォノンとラマン散乱

ページの先頭へ