水谷 宇一郎/共著 -- 内田老鶴圃 -- 2015.10 --

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配架日 協力貸出 利用状況 返却予定日 資料取扱 予約数 付録注記 備考
中央 2F 一般図書 /436.0/5012/2015 7106414332 配架図 Digital BookShelf
2015/11/03 可能 利用可   0

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ISBN 4-7536-2101-9
ISBN13桁 978-4-7536-2101-9
タイトル ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学
タイトルカナ ヒューム ロザリー デンシ ノウドソク ノ ブツリガク
タイトル関連情報 FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発
タイトル関連情報読み エフエルエーピーダブリュー フーリエ リロン ニ ヨル デンシ キノウ ザイリョウ カイハツ
著者名 水谷 宇一郎 /共著, 佐藤 洋一 /共著
著者名典拠番号

110000944080000 , 110006879600000

出版地 東京
出版者 内田老鶴圃
出版者カナ ウチダ ロウカクホ
出版年 2015.10
ページ数 11, 231p
大きさ 21cm
価格 ¥6000
内容紹介 水谷宇一郎と佐藤洋一のふたりの著者が中心となって2005年以降進めてきた、「結合形態を越えて成り立つヒューム・ロザリー型相安定化機構の研究」に関する成果をまとめる。
書誌・年譜・年表 文献:章末
一般件名 金属間化合物-ndlsh-00565911
一般件名カナ キンゾクカンカゴウブツ-00565911
一般件名 金属間化合物
一般件名カナ キンゾクカン カゴウブツ
一般件名典拠番号

510382400000000

分類:都立NDC10版 436
資料情報1 『ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学 FLAPW-Fourier理論による電子機能材料開発』 水谷 宇一郎/共著, 佐藤 洋一/共著  内田老鶴圃 2015.10(所蔵館:中央  請求記号:/436.0/5012/2015  資料コード:7106414332)
URL https://catalog.library.metro.tokyo.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?lang=ja&bibid=1152710847

目次 閉じる

第1章 ヒューム・ロザリー電子濃度則とは
  1.1 はじめに
  1.2 電子濃度の定義
  1.3 ヒューム・ロザリー電子濃度則と自由電子模型
  1.4 ポーリングおよびレイナーにより提唱された遷移金属元素に対するe/a仮説とその影響力
  1.5 ヒューム・ロザリー型相安定化機構と擬ギャップ問題
  1.6 固溶体と化学量論的定比化合物
  参考文献
第2章 WIEN2kを用いたFLAPW-Fourier解析法
  2.1 WIEN2k‐FLAPWプログラムパッケージ
  2.2 FLAPW-Fourier法とFFスペクトルの原理
  2.3 波数ベクトルと逆格子ベクトルの表示法
  2.4 β‐Mn(cP20)のFFスペクトルとその物理
  2.5 γ‐Mn(cF4)とδ‐Mn(cI2)のFFスペクトル
  2.6 ヒューム・ロザリープロットとその物理
  2.7 四面体法によるHRプロットの精度向上
  2.8 遍歴電子性の判定法
  2.9 local reading法とNFE法
第3章 周期律表元素の電子構造とe/aの決定
  3.1 はしがき
  3.2 周期2の元素
  3.3 周期3の元素
  3.4 周期4の元素
  参考文献
第4章 結合形態による金属間化合物の分類
  4.1 はしがき
  4.2 アレンの電気陰性度
  4.3 アレンの電気陰性度を使ったファンアーケル-ケテラー三角図の作成
  4.4 アレンの電気陰性度を越えたファンアーケル-ケテラー三角図の作成
  参考文献
第5章 Al‐およびZn‐基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
  5.1 はしがき
  5.2 A1-MおよびZn‐M(M=Mg,Ca~Cu)系の金属間化合物群
  参考文献
第6章 ジントル化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
  6.1 はしがき
  6.2 Ⅰ-Ⅲ化合物
  6.3 Ⅰ-Ⅱ化合物
  6.4 ジントル化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
  参考文献
第7章 P-基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
  7.1 はしがき
  7.2 ファンアーケル-ケテラー三角図上のPを基とする金属間化合物群
  7.3 第15族の元素P(oC8),As(hR2),Sb(hR2)およびBi(hR2)
  7.4 Si‐PおよびGe‐P系の化合物
  7.5 3d‐遷移金属(TM=Sc~Ni)とPの化合物群
  7.6 Cu‐PおよびZn‐P系
  7.7 Mg‐PおよびCa‐P系
  7.8 A(A=Li,Na,K,Rb,Cs)-P系
  参考文献
第8章 ヒューム・ロザリー電子濃度則と干渉条件
  8.1 はしがき
  8.2 新しいヒューム・ロザリー電子濃度則の探索法
  8.3 近似結晶のヒューム・ロザリー電子濃度則
  8.4 ヒューム・ロザリー電子濃度則に従う化合物群
  8.5 e/uc‐|G|2cプロットと結合形態によらない干渉効果
  参考文献
第9章 ヒューム・ロザリー電子濃度則の材料開発への応用
  9.1 はしがき
  9.2 Ⅲ-Ⅴ化合物の電子構造
  9.3 e/a=4.0を持つ新規電子機能材料の開発研究
  参考文献