資料詳細

目次

第1章 はじめに

  1-1 情報化社会と半導体

  1-2 半導体産業とノーベル賞

  1-3 半導体とその種類

  1-4 半導体デバイスの種類

第2章 シリコン原子

  2-1 シリコン元素

  2-2 原子の量子論

第3章 固体シリコン

  3-1 混成軌道と結合

  3-2 固体シリコンの形態

第4章 シリコンの結晶構造

  4-1 ダイヤモンド構造

  4-2 結晶面と結晶軸

  4-3 格子欠陥

  4-4 格子振動

第5章 半導体のエネルギー帯構造

  5-1 絶縁体と金属および半導体

  5-2 不純物半導体

  5-3 自由電子模型と有効質量

第6章 状態密度とキャリア分布

  6-1 状態密度

  6-2 フェルミ分布

  6-3 キャリア分布と温度依存性

第7章 電気伝導

  7-1 電気伝導度と移動度

  7-2 キャリアの散乱機構

  7-3 拡散電流とアインシュタインの関係式

  7-4 飽和速度

  7-5 空間電荷とポアソンの方程式

  7-6 ホール効果

  7-7 磁気抵抗効果

  7-8 多結晶シリコンとアモルファスシリコンの電気伝導

  7-9 キャリアの再結合

第8章 シリコン結晶作製とドーピング

  8-1 シリコン単結晶の作製方法

  8-2 エピタキシャル成長

  8-3 多結晶シリコンとアモルファスシリコンの作製方法

  8-4 結晶成長機構

  8-5 SOI基板の作製

  8-6 不純物のドーピング

第9章 pn接合とショットキー接合

  9-1 pn接合

  9-2 ショットキー接合

第10章 ヘテロ構造

  10-1 ヘテロ接合の種類

  10-2 量子井戸と超格子

  10-3 シリコンゲルマニウムヘテロ構造

第11章 MOS構造

  11-1 MOS構造の形成とエネルギー帯構造

  11-2 MOS構造のバイアス依存性

  11-3 表面ポテンシャルとMOS容量

  11-4 表面準位と界面準位

第12章 MOSトランジスタ(MOSFET)

  12-1 MOSトランジスタの構造と動作原理

  12-2 MOSFETの電流-電圧特性

  12-3 MOSFETの周波数特性とスイッチング速度

  12-4 MESFETとHEMT

  12-5 2次元電子ガスと量子化

  12-6 MOSFETの移動度

第13章 バイポーラトランジスタ

  13-1 バイポーラトランジスタの構造と動作原理

  13-2 バイポーラトランジスタの電流-電圧特性

  13-3 バイポーラトランジスタの高速性

  13-4 ヘテロバイポーラトランジスタ

第14章 集積回路(LSI)

  14-1 集積回路の種類

  14-2 メモリLSI

  14-3 ロジックLSI

  14-4 MOSFETのスケーリング則

  14-5 シリコンLSIの製造工程

第15章 シリコンパワーデバイス

  15-1 pnpn構造(サイリスタ)

  15-2 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

第16章 シリコンフォトニクス

  16-1 光の吸収と発光

  16-2 直接遷移型と間接遷移型

  16-3 シリコンの光吸収と発光

  16-4 受光デバイス

  16-5 光回路素子

第17章 シリコン薄膜デバイス

  17-1 薄膜トランジスタ(TFT)

  17-2 薄膜太陽電池

ページの先頭へ