資料詳細

目次

1.はじめに

2.原子を結び付ける力

  2.1 水素原子の電子のエネルギー準位

  2.2 一般の原子内電子のエネルギー準位

  2.3 原子間にはたらく引力と斥力

  2.4 ファンデルワールス力と分子結晶

  2.5 イオン結合とイオン結晶

  2.6 共有結合と共有結合結晶

  2.7 金属結合

  2.8 水素結合

  2.9 凝集力と固体の性質

3.固体の原子構造

  3.1 結晶

  3.2 結晶格子

  3.3 結晶の面と方位

  3.4 代表的な物質の結晶構造

  3.5 結晶欠陥

  3.6 結晶構造解析

  3.7 結晶表面の原子構造

  3.8 結晶成長

4.格子振動と格子比熱

  4.1 連続媒質中の弾性波

  4.2 結晶の格子振動

  4.3 格子振動の量子化と観測

  4.4 固体の比熱

5.金属の伝導現象

  5.1 金属内電子と金属の性質

  5.2 金属内電子伝導の古典論

  5.3 金属内に閉じ込められた電子の量子力学的扱い

  5.4 金属の電気伝導の量子力学的扱い

  5.5 仕事関数と電子放出

6.固体のエネルギーバンド理論

  6.1 結合力によるエネルギーバンドの発生

  6.2 周期構造によるエネルギーバンドの発生

  6.3 固体内電子のバンド構造

  6.4 結晶内電子の運動と有効質量

  6.5 金属・半導体・絶縁体

7.半導体の導電現象

  7.1 半導体概論

  7.2 半導体の伝導型と導電率

  7.3 半導体内のキャリア密度

  7.4 キャリア移動度

  7.5 キャリア密度と移動度の測定方法-ホール効果

  7.6 半導体内の電気伝導

  7.7 過剰少数キャリアの生成と消滅および連続の式

8.半導体の接合論

  8.1 pn接合形成の定性的過程

  8.2 pn接合形成の定量的解析

  8.3 pn接合の印加電圧に対する応答

  8.4 ヘテロ接合

  8.5 ショットキ接合

9.半導体デバイス

  9.1 金属-絶縁体-半導体接合

  9.2 MOSFET

  9.3 バイポーラトランジスタ

  9.4 化合物半導体デバイス

  9.5 その他の半導体デバイス

10.物質の誘電的性質と絶縁体の導電現象

  10.1 分極

  10.2 分極と誘電率

  10.3 強誘電体

  10.4 誘電体内の導電現象

  10.5 ピエゾ効果

11.物質の光学的性質

  11.1 物質の光学的性質の概論

  11.2 物質の電磁波に対する応答

  11.3 格子振動と光の相互作用

  11.4 半導体と絶縁体の光学的性質

  11.5 半導体光デバイス

12.磁気物性と超伝導

  12.1 原子の磁気モーメントと磁化率

  12.2 磁性の源-電子の軌道角運動量とスピンによる磁化

  12.3 物質の磁性

  12.4 磁気抵抗効果

  12.5 超伝導

13.ナノテクノロジー

  13.1 量子効果

  13.2 トンネル効果

  13.3 ボトムアップのナノテクノロジー

A.付録

  A.1 原子内電子のエネルギー準位の量子力学的扱い

  A.2 固体比熱理論におけるデバイ関数の導出

  A.3 広範囲ホッピング伝導の導電率の算出

  A.4 トンネル確率の計算

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