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目次

1章 集積回路と論理ゲート

  1.1 スイッチによる論理ゲートのハードウェア化

  1.2 可変抵抗による論理ゲートのハードウェア化

  1.3 論理式の直接ハードウェア化

  演習問題

2章 半導体とトランジスタ

  2.1 真性半導体と外因性半導体

  2.2 pn接合とダイオード

  2.3 MOSトランジスタ

  2.4 MOSトランジスタのモデルと動作

  2.5 バイポーラトランジスタ

  演習問題

3章 トランジスタによる論理回路

  3.1 MOSトランジスタによる論理回路

  3.2 ダイオードによる論理回路

  3.3 バイポーラトランジスタによる論理回路

  演習問題

4章 動作速度と消費電力

  4.1 CMOS論理ゲート間の動作解析モデル

  4.2 動作速度

  4.3 消費電力-ダイナミックな消費電力-

  4.4 消費電力-スタティックな消費電力-

  4.5 スケーリング則

  演習問題

5章 ラッチとメモリ

  5.1 ディジタルシステムの記憶回路

  5.2 ラッチ

  5.3 メモリ集積回路の分類

  5.4 メモリ集積回路を用いたシステム構成例

  5.5 SRAM集積回路

  5.6 DRAM集積回路

  5.7 フラッシュメモリ集積回路

  演習問題

6章 集積回路の構造と製造技術

  6.1 トランジスタの構造と回路の構造

  6.2 レイアウト(レイアウト図)

  6.3 製造技術(前工程)

  6.4 LSIチップの面積と歩留まり

  演習問題

7章 集積回路の実装

  7.1 実装技術の位置づけ

  7.2 シリコンウェーハの検査とダイシング

  7.3 パッケージの基本構造

  7.4 パッケージの分類

  7.5 高密度パッケージとSiP

  7.6 TSVによるLSIチップの積層技術(3次元LSIチップ技術)

  7.7 大型LSIチップとWSIによるシステム

  7.8 プリント基板

  演習問題

8章 集積回路の種類と設計技術

  8.1 集積回路の分類

  8.2 セミカスタムLSIの構造

  8.3 プログラマブル・ロジックデバイス-プログラマブルなセミカスタム集積回路-

  8.4 設計のフローと各ステージでの設計技術

  8.5 ハードウェア記述言語

  演習問題

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