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[ 和図書 ] 酸化物薄膜・接合・超格子界面物性と電子デバイス応用 ( 物質・材料テキストシリーズ )

澤彰仁／著 -- 内田老鶴圃 -- 2017.4 --

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所蔵館	所蔵場所	資料区分	請求記号	資料コード	所蔵状態	資料の利用
配架日	協力貸出	利用状況	返却予定日	資料取扱	予約数	付録注記	備考
中央	2F	一般図書	/549.8/5322/2017	7108814066		配架図 Digital BookShelf
2017/05/05	可能	利用可			0

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ISBN	4-7536-2309-9
ISBN13桁	978-4-7536-2309-9
タイトル	酸化物薄膜・接合・超格子
タイトルカナ	サンカブツハクマクセツゴウチョウコウシ
タイトル関連情報	界面物性と電子デバイス応用
タイトル関連情報読み	カイメンブッセイトデンシデバイスオウヨウ
著者名	澤彰仁／著
著者名典拠番号	110007169480000
出版地	東京
出版者	内田老鶴圃
出版者カナ	ウチダロウカクホ
出版年	2017.4
ページ数	8, 324p
大きさ	21cm
シリーズ名	物質・材料テキストシリーズ
シリーズ名のルビ等	ブッシツザイリョウテキストシリーズ
シリーズの編者等	藤原毅夫／監修,藤森淳／監修,勝藤拓郎／監修
シリーズの編者等の典拠番号	110000867720000 , 110003356830000 , 110006729570000
価格	¥4600
内容紹介	酸化物薄膜の応用研究を主眼に置きながら、代表的な薄膜作製技術を原理とともに紹介。半導体物理のモデル・理論をベースに各種接合界面の電子状態・バンド構造を説明し、酸化物接合界面の特徴とデバイス応用の研究例も解説。
一般件名	薄膜-00562857-ndlsh
一般件名カナ	ハクマク-00562857
一般件名	薄膜 , 酸化物
一般件名カナ	ハクマク,サンカブツ
一般件名典拠番号	511306800000000 , 510854200000000
分類：都立NDC10版	549.8
資料情報1	『酸化物薄膜・接合・超格子界面物性と電子デバイス応用』（物質・材料テキストシリーズ）　澤彰仁／著　内田老鶴圃　2017.4（所蔵館：中央　請求記号：/549.8/5322/2017　資料コード：7108814066）
URL	https://catalog.library.metro.tokyo.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?lang=ja&bibid=1152982871

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第1章薄膜作製・評価・微細加工技術: 1.1 薄膜作製法; 1.2 薄膜評価技術; 1.3 微細加工技術
第2章酸化物薄膜成長: 2.1 酸化と薄膜作製条件; 2.2 エピタキシャル薄膜; 2.3 エピタキシャル歪と薄膜物性
第3章酸化物ダイオード: 3.1 ショットキー接合; 3.2 p‐n接合; 3.3 酸化物ショットキー接合とp‐n接合
第4章酸化物トンネル接合: 4.1 トンネル効果と接合の伝導特性; 4.2 磁気トンネル接合; 4.3 超伝導トンネル接合
第5章酸化物超格子と2次元電子系: 5.1 超格子作製法・評価法; 5.2 超格子の電子状態と伝導現象; 5.3 酸化物界面の2次元電子系; 5.4 酸化物超格子
第6章酸化物電界効果トランジスタ: 6.1 電界効果トランジスタ; 6.2 High‐kゲート絶縁膜; 6.3 酸化物半導体電界効果トランジスタ; 6.4 強相関酸化物電界効果トランジスタ
第7章酸化物薄膜の不揮発性メモリ応用: 7.1 強誘電体メモリ; 7.2 抵抗変化不揮発性メモリ

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