資料詳細

[ 和図書 ] 光・電子・イオンビームによる表面ナノ構造解析

城戸義明／著 -- 三恵社 -- 2017.8 --

所蔵

所蔵は 1 件です。

所蔵館	所蔵場所	資料区分	請求記号	資料コード	所蔵状態	資料の利用
配架日	協力貸出	利用状況	返却予定日	資料取扱	予約数	付録注記	備考
中央	2F	一般図書	/428.4/5071/2017	7109952100		配架図 Digital BookShelf
2018/02/06	可能	利用可			0

Eメールによる郵送複写申込みは、「東京都在住」の登録利用者の方が対象です。

ページの先頭へ

資料詳細

ISBN	4-86487-734-3
ISBN13桁	978-4-86487-734-3
タイトル	光・電子・イオンビームによる表面ナノ構造解析
タイトルカナ	ヒカリデンシイオンビームニヨルヒョウメンナノコウゾウカイセキ
著者名	城戸義明／著
著者名典拠番号	110007248490000
並列タイトル	Surface Nano‐structures:Analysis by Photon,Electron and Ion Beams
出版地	名古屋
出版者	三恵社
出版者カナ	サンケイシャ
出版年	2017.8
ページ数	541p
大きさ	27cm
価格	¥10833
内容紹介	表面・界面に関する基礎知識を説明するとともに、代表的な分析手法であり、互いに相補的な関係にあるイオン散乱分析・電子線回折・光電子分光による電子状態分析について、それぞれの要点・特徴を分かり易く解説する。
一般件名	分子構造-00561036-ndlsh,ナノフォトニクス-01088592-ndlsh,エックス線分光分析-00561907-ndlsh,イオンビーム-ndlsh-00576754
一般件名カナ	ブンシコウゾウ-00561036,ナノフォトニクス-01088592,エックスセンブンコウブンセキ-00561907,イオンビーム-00576754
一般件名	表面(工学) , 電子分光分析 , 電子回折 , イオンビーム
一般件名カナ	ヒョウメン(コウガク),デンシブンコウブンセキ,デンシカイセツ,イオンビーム
一般件名典拠番号	511331800000000 , 511214300000000 , 511214500000000 , 510101200000000
分類：都立NDC10版	428.4
資料情報1	『光・電子・イオンビームによる表面ナノ構造解析』　城戸義明／著　三恵社　2017.8（所蔵館：中央　請求記号：/428.4/5071/2017　資料コード：7109952100）
URL	https://catalog.library.metro.tokyo.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?lang=ja&bibid=1153067565

ページの先頭へ

第1編清浄表面: 1-1.超高真空の必要性; 1-2.超高真空システム; 1-3.清浄表面作製法; 1-4.極薄膜およびナノ粒子の作製
第2編表面の構造: 2-1.実格子と逆格子; 2-2.表面の表記法; 2-3.表面の構造; 2-4.界面の構造
第3編表面の動的過程: 3-1.格子振動とDebyeモデル; 3-2.格子波の量子化とフォノン; 3-3.表面での格子振動:異方性と相関; 3-4.表面融解; 3-5.表面吸着のダイナミクス
第4編表面の電子状態: 4-1.バンド構造; 4-2.表面の電子状態; 4-3.Jelliumモデルと仕事関数; 4-4.2次元電子ガス
第5編分析手法-Ⅰ:放射光: 5-1.光源; 5-2.分光・検出システム; 5-3.光電子分光
第6編分析手法-Ⅱ:電子線: 6-1.電子線源; 6-2.電子線回折; 6-3.電子線エネルギー損失分光
第7編分析手法-Ⅲ:イオン散乱-基礎編: 7-1.イオン源; 7-2.輸送系; 7-3.検出システム; 7-4.弾性散乱; 7-5.核力の寄与する散乱・反跳; 7-6.非弾性散乱; 7-7.荷電変換と電荷分布
第8編分析手法-Ⅲ:イオン散乱-応用編: 8-1.イオン散乱スペクトル解析; 8-2.弾性反跳分析; 8-3.イオン散乱・反跳分析の応用
第9編表面・界面の複合分析: 9-1.表面酸化反応; 9-2.Auナノ粒子とCO酸化での触媒活性化機構
第10編データ処理Data analysis: 10-1.誤差解析; 10-2.ベスト・フィッティング

ページの先頭へ