資料詳細

[ 和図書 ] 集積回路のための半導体デバイス工学

小林清輝／著 -- コロナ社 -- 2018.4 --

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所蔵館	所蔵場所	資料区分	請求記号	資料コード	所蔵状態	資料の利用
配架日	協力貸出	利用状況	返却予定日	資料取扱	予約数	付録注記	備考
中央	2F	一般図書	/549.7/5115/2018	7110211452		配架図 Digital BookShelf
2018/04/06	可能	利用可			0

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資料詳細

ISBN	4-339-00909-5
ISBN13桁	978-4-339-00909-5
タイトル	集積回路のための半導体デバイス工学
タイトルカナ	シュウセキカイロノタメノハンドウタイデバイスコウガク
著者名	小林清輝／著
著者名典拠番号	110007331450000
並列タイトル	Semiconductor Device Engineering for Integrated Circuits
出版地	東京
出版者	コロナ社
出版者カナ	コロナシャ
出版年	2018.4
ページ数	8, 186p
大きさ	21cm
価格	¥2500
内容紹介	「シリコンを使ったMOS集積回路」について初めて学ぶ人のための教科書。電気電子・情報通信分野の大学生等を対象に、固体電子論の基礎から、MOSFETの動作原理、LSI製造プロセス、LSIの構成と動作までを解説。
書誌・年譜・年表	文献:章末
一般件名	半導体-00562913-ndlsh,集積回路-00572448-ndlsh
一般件名カナ	ハンドウタイ-00562913,シュウセキカイロ-00572448
一般件名	集積回路 , シリコン(半導体)
一般件名カナ	シュウセキカイロ,シリコン(ハンドウタイ)
一般件名典拠番号	510919900000000 , 510167300000000
分類：都立NDC10版	549.7
資料情報1	『集積回路のための半導体デバイス工学』　小林清輝／著　コロナ社　2018.4（所蔵館：中央　請求記号：/549.7/5115/2018　資料コード：7110211452）
URL	https://catalog.library.metro.tokyo.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?lang=ja&bibid=1153153953

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1章集積回路の微細化が進められた理由: 1.1 なぜ集積回路を微細化するのか; 1.2 集積回路の微細化と性能の推移; 1.3 近年のLSI; 1.4 集積回路の種類と用途; 演習問題; 引用・参考文献
2章固体電子論の基礎: 2.1 自由電子の波動関数; 2.2 シリコンの結晶構造; 2.3 逆格子; 2.4 結晶の中の電子の波動関数; 2.5 エネルギーバンド; 2.6 金属,絶縁体,半導体のエネルギーバンド; 演習問題; 引用・参考文献
3章半導体中のキャリヤ: 3.1 真性半導体; 3.2 真性半導体の伝導電子密度と正孔密度; 3.3 真性フェルミ準位; 3.4 有効質量; 3.5 正孔; 3.6 不純物半導体; 3.7 キャリヤ密度とフェルミ準位; 3.8 キャリヤのドリフトと移動度; 3.9 キャリヤの拡散
4章 MOSFETの動作原理: 4.1 MOS構造; 4.2 空乏近似; 4.3 ポアソン方程式の厳密な解; 4.4 フラットバンド電圧; 4.5 MOSFETの動作; 4.6 線形領域と飽和領域のドレイン電流; 4.7 MOSFETの種類; 4.8 CMOSインバータ; 4.9 比例縮小則
5章 LSI製造プロセス: 5.1 LSIができるまでの流れ; 5.2 製造プロセスのフロー; 5.3 要素プロセス技術; 5.4 LSIのプロセスフロー(CMOSインバータ); 5.5 MOSFET高性能化技術の進展; 5.6 銅配線; 5.7 シリコン結晶; 演習問題; 引用・参考文献
6章 LSIの構成と動作: 6.1 DRAMの動作; 6.2 SRAMの動作; 6.3 NOR型フラッシュメモリの構造と動作; 6.4 NAND型フラッシュメモリの構造と動作; 演習問題; 引用・参考文献

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