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[ 和図書 ] 光デバイス入門 pn接合ダイオードと光デバイス

末益崇／著 -- コロナ社 -- 2018.5 --

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所蔵は 1 件です。

所蔵館	所蔵場所	資料区分	請求記号	資料コード	所蔵状態	資料の利用
配架日	協力貸出	利用状況	返却予定日	資料取扱	予約数	付録注記	備考
中央	2F	一般図書	/549.9/5279/2018	7110324250		配架図 Digital BookShelf
2018/05/08	可能	利用可			0

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資料詳細

ISBN	4-339-00910-1
ISBN13桁	978-4-339-00910-1
タイトル	光デバイス入門
タイトルカナ	ヒカリデバイスニュウモン
タイトル関連情報	pn接合ダイオードと光デバイス
タイトル関連情報読み	ピーエヌセツゴウダイオードトヒカリデバイス
著者名	末益崇／著
著者名典拠番号	110007348670000
出版地	東京
出版者	コロナ社
出版者カナ	コロナシャ
出版年	2018.5
ページ数	8, 180p
大きさ	21cm
価格	¥2500
内容紹介	固体物理学を習い始めた学生に向けて、固体物理をベースに光デバイスの基礎を解説したテキスト。pn接合ダイオード、太陽電池、化合物半導体、発光ダイオード、レーザダイオードなどを取り上げる。各章に章末問題も掲載。
書誌・年譜・年表	文献:p174～176
一般件名	光デバイス-001296762-ndlsh
一般件名カナ	ヒカリデバイス-001296762
一般件名	オプトエレクトロニクス
一般件名カナ	オプトエレクトロニクス
一般件名典拠番号	510127100000000
分類：都立NDC10版	549.95
資料情報1	『光デバイス入門 pn接合ダイオードと光デバイス』　末益崇／著　コロナ社　2018.5（所蔵館：中央　請求記号：/549.9/5279/2018　資料コード：7110324250）
URL	https://catalog.library.metro.tokyo.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?lang=ja&bibid=1153169685

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1.結晶構造とエネルギーバンド構造: 1.1 はじめに; 1.2 結晶系と空間格子; 1.3 半導体の結晶構造(Si,GaAsを例に); 1.4 エネルギーバンド構造; 1.5 k空間; 1.6 エネルギーバンドとは; 章末問題
2.半導体物性の基礎: 2.1 はじめに; 2.2 真性半導体のキャリヤ密度・キャリヤ密度のエネルギー分布; 2.3 不純物ドープ半導体のキャリヤ密度・キャリヤ密度のエネルギー分布; 2.4 光学遷移の基本形; 2.5 キャリヤ再結合および生成の過程; 2.6 キャリヤ輸送; 2.7 欠陥; 2.8 ホール効果; 章末問題
3.pn接合ダイオード: 3.1 はじめに; 3.2 空乏層幅と内蔵電位; 3.3 空乏層容量; 3.4 電流連続の式; 3.5 暗状態の電流電圧特性; 3.6 半導体ヘテロ接合; 3.7 金属-半導体接合; 3.8 完全空乏近似の妥当性について; 章末問題
4.光検出素子の基礎: 4.1 はじめに; 4.2 光吸収係数とキャリヤ生成割合; 4.3 動作モードについて; 4.4 応答速度; 4.5 雑音; 章末問題
5.太陽電池: 5.1 はじめに; 5.2 太陽光のスペクトル; 5.3 光生成キャリヤの輸送メカニズム; 5.4 光電流密度; 5.5 光照射下のキャリヤ密度分布と電流電圧特性; 5.6 表面再結合; 5.7 先端技術の導入によるエネルギー変換効率向上の歴史; 5.8 結晶Si太陽電池エネルギー変換効率向上の歴史; 章末問題
6.化合物半導体: 6.1 はじめに; 6.2 種類について; 6.3 化合物半導体の禁制帯幅と格子定数; 6.4 半導体積層構造の結晶成長方法; 章末問題
7.発光ダイオード: 7.1 はじめに; 7.2 半導体で自然放出を実現するには; 7.3 ホモ接合ダイオードからダブルヘテロ接合ダイオードへ; 7.4 静特性と動特性; 章末問題
8.レーザダイオード(LD): 8.1 はじめに; 8.2 LDの基本構造; 8.3 導波モードについて; 8.4 LDの動作原理; 8.5 レーザ発振の条件; 8.6 単一モードレーザ; 8.7 活性層の低次元化; 8.8 静特性と動特性; 章末問題

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