資料詳細

目次

序章 電子工学とは

第1章 電磁界中の電子

  1.1 電子とその性質

  1.2 電磁界中の電子の運動

  1.3 光電効果

  1.4 物質波

  1.5 真空中の電子の応用

  演習問題

第2章 原子中の電子

  2.1 水素原子の発光スペクトル

  2.2 ボーアのモデル

  2.3 水素原子スペクトルとの対比

  2.4 量子数とパウリの排他原理

  2.5 原子中の電子配置

  演習問題

第3章 固体中の電子

  3.1 シュレディンガーの波動方程式

  3.2 ゾンマーフェルトのモデル

  演習問題

第4章 固体のエネルギー帯

  4.1 エネルギー帯の形成

  4.2 半導体のエネルギー帯

  4.3 絶縁体および金属のエネルギー帯

  4.4 電子と正孔

  4.5 ドナー不純物とアクセプタ不純物

  演習問題

第5章 キャリア密度と電気伝導率

  5.1 半導体中のキャリア密度

  5.2 状態密度関数

  5.3 フェルミ-ディラックの分布関数

  5.4 電子密度

  5.5 正孔密度

  5.6 熱平衡時のpn積

  5.7 真性半導体のフェルミ準位

  5.8 ホール効果

  演習問題

第6章 有効質量と移動度

  6.1 有効質量

  6.2 キャリアの移動度

  演習問題

第7章 電流と連続の式

  7.1 拡散電流

  7.2 ドリフト電流

  7.3 半導体中の電流

  7.4 キャリアの発生と再結合

  7.5 少数キャリアの連続の式

  演習問題

第8章 p‐n接合

  8.1 拡散電位と空乏層

  8.2 p‐n接合ダイオード

  演習問題

第9章 バイポーラトランジスタ

  9.1 バイポーラトランジスタの構造と原理

  9.2 トランジスタの動作特性

  演習問題

第10章 金属-半導体接合

  10.1 ショットキー接合

  10.2 ショットキーダイオード

  10.3 オーミック接合と電極

  演習問題

第11章 金属-絶縁体-半導体構造

  11.1 理想MIS構造

  11.2 反転状態の解析

  11.3 MIS構造に蓄えられる電荷

  演習問題

第12章 MOSFET

  12.1 MOSFETの構造

  12.2 MOSFETの動作

  12.3 MOSFETの特性解析

  12.4 MOSFETの種類と記号

  12.5 MOSキャパシタの特性

  演習問題

第13章 集積回路

  13.1 モノリシック集積回路の概要

  13.2 バイポーラ集積回路

  13.3 MOS集積回路

  13.4 C-MOS集積回路

  13.5 集積回路の製法

  演習問題

第14章 光半導体素子

  14.1 エネルギーギャップと光

  14.2 発光ダイオード

  14.3 半導体レーザ

  14.4 フォトダイオードと太陽電池

  演習問題

第15章 パワー半導体

  15.1 パワー半導体による電力制御

  15.2 パワートランジスタとパワーMOSFET

  15.3 サイリスタ

  15.4 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

  演習問題

第16章 センサデバイス

  16.1 センサの役割

  16.2 半導体圧力センサ

  16.3 半導体加速度センサ

  16.4 半導体温度センサ(サーミスタ)

  16.5 半導体ガスセンサ

  16.6 磁気センサ

  演習問題

第17章 ディスプレイデバイス

  17.1 液晶ディスプレイデバイス

  17.2 プラズマディスプレイ

  17.3 有機ELディスプレイ

  演習問題

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