資料詳細

目次

第1章 イントロダクション

  1.1 スピンとは何か?

  1.2 単一スピンの演算

  1.3 現実の物質のスピン

  1.4 強磁性原子における3d電子

  1.5 位相空間における電子:状態密度

  1.6 電子スピンの表現の量子力学的見方:第二量子化

  1.7 スピン輸送とランダムウォーク

  1.8 磁化とマイクロマグネティズム

第2章 スピントロニクス構造における物理現象

  2.1 古典的な双極子相互作用と量子的な交換相互作用

  2.2 二重交換相互作用

  2.3 RKKY相互作用

  2.4 低次元物体における異方性効果の例

  2.5 低次元の磁気システムにおける磁化ダイナミクス

第3章 磁化ダイナミクス研究におけるマイクロマグネティック方程式

  3.1 強いスピン-軌道相互作用をもつ物質の磁化ダイナミクス:Dzyaloshinskii-Moriya相互作用

  3.2 スキルミオン

  3.3 有限温度での磁化ダイナミクス

第4章 磁化ダイナミクスの検出

第5章 多層構造における接触効果

  5.1 境界条件と磁気的な界面効果

  5.2 強磁性-反強磁性接合:EBおよび90°結合

  5.3 超伝導体-常伝導体接合:アンドレーフ反射

第6章 スピントロニクス構造における輸送現象

  6.1 スピンの拡散とドリフト

  6.2 トンネル効果

  6.3 クーロンブロッケード

  6.4 近藤効果

  6.5 キャリアの反射と散乱

  6.6 スピン注入とスピン蓄積

  6.7 スピントランスファートルク

第7章 スピントロニクスデバイス

  7.1 スピントロニクス素子における電子的パラメータ

  7.2 スピンバルブ

  7.3 磁気トンネル接合

  7.4 磁気ダイオード

  7.5 磁気電界発光ダイオード

  7.6 単電子トランジスタ

  7.7 バイポーラ磁気トランジスタ

  7.8 磁気NOT論理ゲート

  7.9 その他の磁気論理ゲートとデバイス

第8章 外的要因や物理的な場がスピントロニクス素子動作に与える影響

  8.1 温度効果に支援された素子のスイッチング

  8.2 スピンカロリトロニクス

  8.3 圧力

  8.4 歪み

  8.5 電場

  8.6 光

  8.7 電流とスピントロニクスデバイスのスイッチング

第9章 実用的なスピントロニクス材料

  9.1 金属とハーフメタル

  9.2 希薄磁性半導体

  9.3 マルチフェロイクス

  9.4 反強磁性体

  9.5 有機スピントロニクス

  9.6 多層系における他の物質

ページの先頭へ