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[ 和図書 ] シリコンに導入されたドーパントの物理

応用物理学会半導体分野将来基金委員会／編 -- 近代科学社Digital -- 2025.2 --

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所蔵館 所蔵場所 資料区分 請求記号 資料コード 所蔵状態 資料の利用
配架日 協力貸出 利用状況 返却予定日 資料取扱 予約数 付録注記 備考
中央 2F 一般図書 /549.8/5462/2025 7119420210 配架図 Digital BookShelf
2025/09/12 可能 利用可   0

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ISBN 4-7649-0718-8
ISBN13桁 978-4-7649-0718-8
タイトル シリコンに導入されたドーパントの物理
タイトルカナ シリコン ニ ドウニュウ サレタ ドーパント ノ ブツリ
著者名 応用物理学会半導体分野将来基金委員会 ／編
著者名典拠番号

210000062060000

出版地 [東京],東京
出版者 近代科学社Digital,近代科学社(発売)
出版者カナ キンダイ カガクシャ ディジタル
出版年 2025.2
ページ数 361p
大きさ 26cm
価格 ¥5000
内容紹介 半導体デバイスにおいて重要な技術である不純物ドーピングの基本的な課題や疑問点を取り上げ、それらを物理的な観点からわかりやすく解説する。名取研究会(半導体分野将来基金研究会)の講演をもとに単行本化。
書誌・年譜・年表 文献:章末
一般件名 シリコン(半導体)
一般件名カナ シリコン(ハンドウタイ)
一般件名典拠番号

510167300000000

分類：都立NDC10版 549.8
テキストの言語 日本語  
資料情報1 『シリコンに導入されたドーパントの物理』　応用物理学会半導体分野将来基金委員会／編 　近代科学社Digital　2025.2（所蔵館：中央　 請求記号：/549.8/5462/2025　 資料コード：7119420210）
URL https://catalog.library.metro.tokyo.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?lang=ja&bibid=1154739719

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